Xu Ke wins Suzhou's first Gusu Talent Award

On November 1, 2010, at the opening ceremony of the 12th Annual Meeting of the Chinese Associ≈ation for Science and Technology (CAS), the 2010 CAS "Seeking Excelle‌nce Award for Youth Achievement Transformation" was announced.♥ Xu Ke, a researcher at the Suzhou Institute of NanotecΩhnology and Nanobiont, Chinese Academy of Sciences, director of the testing and analysi★s platform, and chairman of Suzhou Navi Technology Co.

The "Quest for Excellence Award for Young Scientists" ai≠ms to reward researchers who have not only focused on scientific research, but also actively promoπted the industrialization of scientific research results, and achieved obvious♥ economic and social benefits, and played a good role model among young scientific workers.
In 2007, based on his 15 years of research on GaN materials, Xu Ke established Suzh©ou Navi Technology Co. In just three years, Suzhou Navi§'s GaN substrate wafer production technology haσs made a major breakthrough and reached the world's advanced level, becoming one of the fe♠w companies in the world that can provide GaN substrate wafers, making a remarkable contribution t♣o the development of China's GaN semiconductor industry. 'Xu Ke is also working hard to become an entrepreneur with a scientist's mind¶ and strategic vision.
Based on the frontier, targeting gallium nitride

Gallium nitride is a kind of semiconductor with large band wδidth, which is among the so-called wide band semiconductors, and is a↕ new type of semiconductor material for developing high-efficiency and high-power microeσlectronic devices and optoelectronic devices. As one of the thi‍rd-generation semiconductor materials, the research ‌and application of gallium nitride is currently the frontier and hot spot of sem→iconductor research worldwide. The characteristics and properties of gallium nitr÷ide such as wide direct band gap, strong atomic bondingδ, high thermal conductivity, good chemical stability and strong radiation r>esistance make it widely used in our daily life in various fi♣elds such as lighting (energy saving lamps), display (LED displays), communication (micrβowave base stations) and consumer electronics (optical heads of blue ligh↔t drives).

Gallium nitride substrates are the basis of high-end nitride semicondu&ctor devices, and are of irreplaceable importance in futu↑re ultra-high brightness LEDs, blue-green laser applications, power microwave power‍ electronics, etc. They have a significant impact on the development of China's energ y-saving general lighting, new generation laser projection display industry, medical instruδments, smart grid and microwave communication and ot her related industries.
Xu Ke has been working on the epitaxial growth and physical Ωproperties of nitride semiconductor materials since 1995. During the past decade, he was thφe first to carry out MOCVD epitaxial growth of non-polaγr nitrides, and systematically studied the MBE and MOCVD gro​wth mechanism, polarity selection, and polarity control of nitrid≤es using real-time and in-situ monitoring methods; elucidated the special effect of polarity÷ on InN growth, and was also one of the first international researchers to dis∏cover the narrow band gap of InN.

The Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanomimetics is✘ an institute jointly established by CAS, Jiangsu Province and Suzhou Munic‍ipal Government. The foundation stone was laid on 18 September 2006 and was initially ‍positioned in both applied basic research and industrial R&D. Xσu Ke was one of the first few researchers to join the N↑ano Institute and was responsible for the construction of the Instit&ute's testing technology platform. After a comprehensive consideration, under the guida±nce and support of Director Yang Hui, Xu Ke decided to give full play to his research expeβrtise and take "hydride vapour phase epitaxy (HV∑PE) system and GaN substrate epitaxy growth" as the nexφt research direction to continue to promote the research and applica™tion of GaN semiconductor materials, aiming at industrialisation.

Nowadays, although there are many R&D institutions making gallium nitride maβterials, there are only a few that can make high-quality gallium nitride§ substrate wafers even in the world. More than ten yea≠rs ago, the key technology of GaN wafers and devices in China lag•ged far behind the developed countries, and the high-eαnd application products were totally dependent on imports, and we were restricted by others <in the cutting-edge technology.

徐科(kē)（右二）獲2010年(nián)中國(guó)科(kē)協“求是(shì)傑出青年(nián)成果轉化(huà)獎”

2007年(nián)5月(yuè)，明遠科技（蘇州）有限公司成立，徐科(kē)出任總經理(lǐ)。蘇州納維以中科(kē)院蘇州納米技(jì)術(<shù)與納米仿生(shēng)研究所為(wèi)技(jì)術(shù)依托，以徐科(kē)為(wèi)核心組建創業(yè)團隊，緻力于氮化(huà)镓襯底晶片及相(xiàng)關設備>的(de)研發和(hé)産業(yè)化(huà)。

蘇州納維在創立之初，就(jiù)确立了(le)以創新為(wèi)先導，積極探索核心高(gāo)科(kē)技(jì)的(dγe)目标，立志(zhì)突破發達國(guó)家(jiā)技(jì)術(shù)封鎖，提高(gāo)我國(guó)半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)、全色顯示、高(g₹āo)功率微(wēi)波器(qì)件(jiàn)等領域的(de)整體(tǐ)研制(zhì)水(shuǐ)平，形成産業(yè)集群發展效應，實現(xiàn)我國(guó)民(mín)族≤産業(yè)的(de)跨越式發展。
除徐科(kē)外(wài)，明遠科技（蘇州）有限公司的(de)研發團隊到(dào)現(xiàn)在也(yě)隻有(yǒu)12人(rén)，納米所楊輝所長(cháng)也(yě★)為(wèi)這(zhè)支隊伍的(de)成長(cháng)傾注了(le)大(dà)量的(de)心血和(hé)精力。王建峰博士一(yīγ)畢業(yè)就(jiù)加入到(dào)這(zhè)個(gè)團隊，目前已成為(wèi)能(néng)夠獨當一(yī)面的(de)幹将。就(jiù)是(s<hì)這(zhè)支迅速成長(cháng)且具有(yǒu)極強凝聚力和(hé)團隊精神的(de)隊伍，在過去(qù)三年(nián)多(duō)的(de)時(shí)間(jiān)裡(lǐ)，重✘點開(kāi)展了(le)第三代半導體(tǐ)材料—氮化(huà)镓襯底晶片的(de)研發和(hé)産業(yè)化(huà)工(gōng)作(z​uò)。從(cóng)最初級的(de)設備研發開(kāi)始，一(yī)直到(dào)氮化(huà)镓襯底晶片的​(de)全套技(jì)術(shù)，他(tā)們以極其頑強的(de)精神和(hé)高(gāo)超的(de)戰鬥力，攻克了(le)一(λyī)個(gè)個(gè)技(jì)術(shù)難關，研發出了(le)國(guó)際領先水(shuǐ)平的(de)氮化(huà)镓材料，為(wè‍i)我國(guó)氮化(huà)镓半導體(tǐ)産業(yè)的(de)發展奠定了(le)堅實的(de)科(kē)技(jì)基礎。

突破封鎖 推進産業(yè)化(huà)

徐科(kē)介紹，最初的(de)時(shí)候，沒有(yǒu)任何資金(jīn)來(lái)源，項目是(shì)在蘇州納米所籌建工(gōng✔)作(zuò)組的(de)大(dà)力支持下(xià)才得(de)以開(kāi)始運作(zuò)。但(dàn)也(yě)僅用(yòng)了(le)$三個(gè)月(yuè)的(de)時(shí)間(jiān)，徐科(kē)團隊便自(zì)行(xíng)設計 (jì)研制(zhì)成功了(le)第一(yī)台用(yòng)于氮化(huà)镓生(shēng)長(cháng)的(de)（HVPE）設備；2007年(nián)8月(yuè)，蘇州納維的(de)€第一(yī)批氮化(huà)镓襯底晶片也(yě)制(zhì)備成功。“我們自(zì)主研發的(de)設備不(bù)但(dàn)成γ本隻要(yào)商業(yè)化(huà)設備的(de)十分(fēn)之一(yī)，而且在該HVPE設備上(shàng)首次實現(xiàn)了(le)原位光(guāng)學的(de)實時(♦shí)監控，大(dà)大(dà)提高(gāo)了(le)設備的(de)可(kě)控性和(hé)重複性，更$為(wèi)關鍵的(de)是(shì)設備的(de)運行(xíng)成本得(de)到(dào)大(dà)幅降低(dī)，使得(de)我國(guó)利用(yò↕ng)HVPE方法實現(xiàn)氮化(huà)镓晶片的(de)産業(yè)化(huà)生(shēng)産成為(wèi)可(kě)能(néng)。&rd‍quo;

緊接著(zhe)，徐科(kē)獲得(de)“蘇州工(gōng)業(yè)園區(qū)首屆科(kē)技(jì)領軍人(rén)才”資助，氮化(huà)镓襯底晶片研發項目也(‍yě)通(tōng)過國(guó)內(nèi)專家(jiā)和(hé)風(fēng)險投資公司的(de)層層篩選，得(de)到(dào)地(dì)方政府科(kē)技(jì)成果轉化(huà)項目和(♦hé)風(fēng)險投資公司的(de)投資，公司産業(yè)化(huà)發展有(yǒu)了(le)資金(jīn)保障，在氮化(huà )镓晶片的(de)設備和(hé)産品開(kāi)發上(shàng)取得(de)飛(fēi)速進展。

“經過一(yī)年(nián)半的(de)努力，到(dào)2008年(nián)底，我們完成了(le)HVPE設備由單片機(jī)向多(duō)片生(shēng)産機(jī)←型的(de)升級，并達到(dào)了(le)6台的(de)規模。氮化(huà)镓晶片質量達到(dào)了(le)國(guó)際同類産品的(de)水(shuǐ)平，蘇州納維☆成為(wèi)中國(guó)第一(yī)個(gè)、國(guó)際上(shàng)第七個(gè)能(néng)夠提供氮化(huà)镓襯底晶片的(de)公司。”徐科×(kē)自(zì)豪地(dì)說(shuō)。

2009年(nián)，蘇州納維在開(kāi)辟市(shì)場(chǎng)的(de)同時(shí)，又(yòu)完成了(le)另外(wà±i)兩款産品的(de)研發：小(xiǎo)尺寸自(zì)支撐氮化(huà)镓和(hé)半絕緣氮化(huà)镓襯底晶片。自(zì)此，我國(guó)擁有(yǒu)了(¥le)具備完全自(zì)主知(zhī)識産權的(de)高(gāo)質量氮化(huà)镓材料，不(bù)必再受制(zhì)于人(rén)。徐科(kēπ)解釋：“高(gāo)質量氮化(huà)镓材料和(hé)半絕緣氮化(huà)镓，是(shì)研制(zhìδ)短(duǎn)波長(cháng)半導體(tǐ)激光(guāng)器(qì)和(hé)高(gāo)功率微(wēi)波器(q→ì)件(jiàn)的(de)基礎，因此，這(zhè)兩款産品都(dōu)是(shì)國(guó)際上(shàng)對(d<uì)我國(guó)禁運的(de)。”

蘇州納維取得(de)的(de)顯著成果，不(bù)僅得(de)到(dào)了(le)國(guó)內(nèi)各方面的(σde)廣泛認可(kě)，在國(guó)際上(shàng)也(yě)産生(shēng)了(le)一(yī)定的(de)影(yǐng)響。2009年(nián)10月(y↓uè)18日(rì)，徐科(kē)受邀赴韓國(guó)參加第八屆氮化(huà)物(wù)半導體(tǐ)國(guó)際峰會(hu•ì)，在這(zhè)個(gè)兩年(nián)一(yī)屆的(de)氮化(huà)物(wù)半導體(tǐ)領域最高(gāo)級别會(huì)議(yì)上(¥shàng)，徐科(kē)做(zuò)了(le)《關于氮化(huà)镓襯底晶片的(de)研究和(hé)産業(yè)化(huà)進展》的(de)30分(fēn)鐘(zhōn₩g)特邀報(bào)告。這(zhè)是(shì)對(duì)該領域中國(guó)科(kē)學家(jiā)前所未有(yǒu)的(de)待遇，也(yě)足以證明(míng)國(guó)際同行®(xíng)對(duì)徐科(kē)團隊高(gāo)質量氮化(huà)镓襯底晶片研究推廣工(gōng)作(zu✘ò)的(de)高(gāo)度認可(kě)。近(jìn)幾年(nián)，徐科(kē)多(duō)次受特别邀請(qǐng)在國(gu₹ó)內(nèi)和(hé)國(guó)際的(de)重要(yào)會(huì)議(yì)上(shàng)做(zuò)報(bào)告，也(yě)與美(měi)國(gu≠ó)、英國(guó)、日(rì)本、中國(guó)香港等地(dì)的(de)著名研究機(jī)構建立了(le)密切合作(zuò)關系。

中國(guó)工(gōng)程院院士、江蘇省省長(cháng)助理(lǐ)徐南(nán)平（右一(yī)）參觀指導明遠科技（蘇州）有限公司

2010年(nián)1月(yuè)，吳邦國(guó)委員(yuán)長(cháng)來(lái)江蘇考察高(gāo)科(kē)技(jì)企業(yè)時(shí)，參觀✘了(le)明遠科技（蘇州）有限公司的(de)氮化(huà)镓襯底晶片，并高(gāo)度贊揚說(shuō)，這(zhè)是(shì)未來(lái)光(guāng)電(diàn)子(zǐ)和(hé¥)微(wēi)電(diàn)子(zǐ)産業(yè)的(de)核心戰略材料。

徐科(kē)介紹說(shuō)：“基于氮化(huà)镓襯底晶片的(de)器(qì)件(jiàn)都(dōu)是(shì)高(gāo)利∑潤産品，一(yī)片2英寸的(de)氮化(huà)镓上(shàng)可(kě)以制(zhì)作(zuò)5000個(g"è)藍(lán)光(guāng)激光(guāng)器(qì)，而每個(gè)激光(guāng)器(qì)的(de)平均售價均在100美(mλěi)元以上(shàng)。”但(dàn)是(shì)，“目前氮化(huà)镓襯底晶片的(de)大(dà)宗↑用(yòng)戶都(dōu)在國(guó)外(wài)，例如(rú)生(shēng)産藍(lán)光'(guāng)DVD的(de)日(rì)本索尼公司和(hé)三洋公司，生(shēng)産高(gāo)功率微(wēi)波晶體(tǐ)管的(de)日(rì)本東(dōng)芝和(hé)美(měi>)國(guó)的(de)Cree公司等。而他(tā)們都(dōu)有(yǒu)本國(guó)固定的(de)供貨商。”因此，蘇州納維将自(zì)己的(de)∞産業(yè)化(huà)目标定位于努力打破國(guó)外(wài)在氮化(huà)镓襯底晶片市(shì)場(chǎng)上(shàng)的(de)壟斷，同時(shí)為(wèi)我國(guó')的(de)下(xià)遊企業(yè)用(yòng)戶開(kāi)發相(xiàng)關産品提供重要(yào)支撐。

2009年(nián)以來(lái)，蘇州納維和(hé)中科(kē)院北(běi)京半導體(tǐ)所、ε山(shān)東(dōng)大(dà)學、山(shān)東(dōng)華光(guāng)、廈門(mén)大(dà)學、南(£nán)昌大(dà)學、南(nán)昌晶能(néng)、西(xī)安電(diàn)子(zǐ)科(kē)技(jì)大(dà)學、中電(diàn)集團55所和(hé)13所、中科(kē)院蘇州納Ω米所、蘇州納晶科(kē)技(jì)有(yǒu)限公司、武漢華燦等開(kāi)展廣泛合作(zuò)，為(wèi)短(duǎn)波長(chá∏ng)激光(guāng)器(qì)、超高(gāo)亮(liàng)度LED、微(wēi)波器(qì)件(jiàn )等的(de)研發提供免費(fèi)或有(yǒu)償試用(yòng)。

氮化(huà)镓襯底研發和(hé)産業(yè)化(huà)的(de)突破，必将提升我國(guó)氮化(huà)物(wù)半導體(tǐ)産業(yè)在高(gāo)端應用(yòng)領域中的(de)國(≈guó)際競争力，在産業(yè)發展的(de)制(zhì)高(gāo)點上(shàng)占領一(yī)席之地(dì)。
因創新成果突出，科(kē)技(jì)成果轉化(huà)效益顯著，徐科(kē)也(yě)獲得(de)了(le)衆多(duō)榮譽與獎勵：2007年(nián)“蘇州$工(gōng)業(yè)園區(qū)首屆科(kē)技(jì)領軍人(rén)才”、2007年(nián)&βldquo;姑蘇創新創業(yè)領軍人(rén)才”、2008年(nián)“江蘇省高(gāo)層次創業(yè)創新人(rén)才引進計(jì)劃”引進人(ré§n)才、2009年(nián)“江蘇省新長(cháng)征突擊手”、2010中國(guó)科(kē)協“求是(shì)傑出青年(<nián)成果轉化(huà)獎”等。這(zhè)是(shì)對(duì)徐科(kē)及其團隊的(εde)最大(dà)肯定和(hé)鼓勵。
預期未來(lái) 任重而道(dào)遠(yuǎn)

目前，蘇州納維已經擁有(yǒu)近(jìn)20項核心技(jì)術(shù)專利，是(shì)中國(guó)首家(jiā)÷氮化(huà)镓襯底晶片供應商。針對(duì)企業(yè)、高(gāo)校(xiào)和(hé)研究所的(de)不(bù)同用(yòng)戶，蘇州納維現(xiσàn)主要(yào)提供2英寸氮化(huà)镓厚膜襯底、2英寸氮化(huà)镓自(zì)支撐襯底、小(xiǎo)尺寸方形氮化(huà)镓襯底、小≤(xiǎo)尺寸非極性面氮化(huà)镓襯底、高(gāo)結晶度氮化(huà)镓粉體(tǐ)材料、圖形藍(lán)寶石襯底等多(duō)種類型産品。此♥外(wài)還(hái)可(kě)根據客戶具體(tǐ)要(yào)求，提供各種非标準氮化(huà)镓襯底材料的(de)制(zhì)備，為(wèi)多(duō)類型、多(duō)領域的(¶de)相(xiàng)關應用(yòng)提供技(jì)術(shù)支撐。

盡管已經取得(de)了(le)不(bù)菲的(de)成績，但(dàn)徐科(kē)說(shuō)，現(xiàn)在的(de)産業(yè)化(huà)仍然不(bù)夠規模化∑(huà)，雖然關鍵技(jì)術(shù)已經取得(de)突破，開(kāi)發出了(le)産品，但(dàn)要(yào)形成規模化(huà)、系統化(huà)、有(yǒuσ)市(shì)場(chǎng)競争力的(de)産品很(hěn)難，要(yào)真正實現(xiàn)氮化(huà)镓半導體(tǐ)産業(yè)的(d e)産業(yè)化(huà)發展，要(yào)走的(de)路(lù)還(hái)很(hěn)長(cháng)。徐科(kē)認為(wèi)，現(xiàn)在發展γ中遇到(dào)的(de)問(wèn)題，從(cóng)根本上(shàng)說(shuō)是(shì)人(rén)才和(hé)觀念的(de)問(wèn)題。中國(g≤uó)的(de)研究體(tǐ)制(zhì)和(hé)市(shì)場(chǎng)機(jī)制(zhì)，決定了(•le)我們嚴重缺失介于科(kē)研院所和(hé)企業(yè)之間(jiān)、既懂(dǒng)技(jì)術(shù)又(yòu)熟悉市(shì)場(chǎng)的(de)人÷(rén)才，科(kē)研和(hé)市(shì)場(chǎng)結合不(bù)夠密切，科(kē)技(jì)成果産業(yè)化(huà)鏈條不(bù)夠順暢。而且，科(kē)研人(rén♠)員(yuán)和(hé)經營者的(de)思想觀念仍存在很(hěn)大(dà)差異，重技(jì)術(shù)、長(cháng)線投資回報(bào)和(hé)偏利潤、注重眼前利益，兩種觀念無法"得(de)到(dào)最大(dà)範圍的(de)融合，在高(gāo)科(kē)技(jì)領域尤其如(↔rú)此。

徐科(kē)認為(wèi)，中國(guó)要(yào)發展擁有(yǒu)自(zì)主知(zhī)識産權的(de)高(gāo)科(kē)技(jì)産業(yè)，除了(le)要(yào)具備國<(guó)家(jiā)大(dà)力提倡的(de)自(zì)主創新精神之外(wài)，還(hái)需要(yào)科(kē)研人(rén)員(yuán)思想觀念的(d★e)轉變。我們的(de)科(kē)研工(gōng)作(zuò)應該更加關注從(cóng)重大(dà)$産業(yè)和(hé)國(guó)家(jiā)需求中凝練科(kē)研問(wèn)題，需要(yào)有(yǒu)相(xiàng)當一(yī)批科(kē)研人(rén)員(yuán')保持對(duì)市(shì)場(chǎng)和(hé)産業(yè)發展方向的(de)敏銳性，著(zhe)力解決産業(yè)化(huà)過程中的(d≤e)關鍵技(jì)術(shù)，達到(dào)産學研相(xiàng)結合，打造出基礎研究、變革性技(jì)術∏(shù)突破、産業(yè)化(huà)推廣的(de)創新價值鏈。

現(xiàn)在，蘇州納維正在和(hé)幾家(jiā)上(shàng)市(shì)公司洽談合作(zuò)，如(rú)達成一(yī)緻，蘇州納維将獲得§(de)不(bù)低(dī)于2億人(rén)民(mín)币的(de)産業(yè)投資用(yòng)以擴大(dà)生(shē€ng)産規模，預計(jì)三年(nián)內(nèi)公司總産值将超過3億元人(rén)民(mín)币，五年(niánε)內(nèi)可(kě)望達到(dào)10億。徐科(kē)表示，“‘十二五’期間(jiān)，我們将緊緊圍繞氮化>(huà)物(wù)半導體(tǐ)的(de)研發和(hé)産業(yè)化(huà)開(kāi)展相(xiàng)關工(gōng)作(zuò)，在保障提高(gāo)材料質量、增大(dà£)晶圓尺寸的(de)同時(shí)，降低(dī)成本，形成優勢，确立國(guó)際地(dì)位；在氮化(hu‌à)镓材料産業(yè)化(huà)應用(yòng)的(de)過程中，著(zhe)力提升我國(guó)在氮化(huà)物(wù)半導體(tǐ)材料領域的(de)國(guó)際競争力，突破¥發展瓶頸，支撐我國(guó)在氮化(huà)物(wù)半導體(tǐ)的(de)高(gāo)端器(qì)件(jiàn)方面取得(de)跨越式發展，在産業(yè)∑化(huà)方面取得(de)一(yī)定的(de)國(guó)際市(shì)場(chǎng)份額。”

徐科(kē)表示，蘇州納維将立足于材料生(shēng)長(cháng)技(jì)術(shù)和(hé)設備的(de)持續創新，始終圍繞氮化(huà)物(wù)半導體(tǐ)材料及應用(yòngΩ)領域，打造具有(yǒu)原創知(zhī)識産權和(hé)核心競争力的(de)國(guó)際化(huà)高(gāo)科(kē)技(jì)公司，且努力↔将自(zì)己的(de)技(jì)術(shù)輻射出去(qù)擴大(dà)影(yǐng)響，最終形成高(gāo)科(kē)技(jì)産業(yè)群，促進我國(guó)氮化(huà)物∞(wù)半導體(tǐ)産業(yè)的(de)發展。
徐科(kē)曾說(shuō)：“未來(lái)十年(nián)我會(huì)盡最大(dà)努力成為(wèi)一(yī)個(gè)企業(yè)家(jiā)，然後50歲、60歲我會(÷huì)考慮重新做(zuò)回一(yī)個(gè)科(kē)學家(jiā)。”我們有(yǒu)理(lǐ)由相(xiàng)信，在徐科(kē)和(hé)他(tā)的(de)團隊推動下σ(xià)，在衆多(duō)氮化(huà)镓材料研究者努力下(xià)，中國(guó)氮化(huà)镓半導體(tǐ)産業(yè)必将得(de)到(dào)更加穩健有¶(yǒu)序的(de)發展，迎來(lái)溢彩明(míng)天。

徐科(kē)，內(nèi)蒙人(rén)，現(xiàn)為(wèi)中科(kē)院蘇州納米所測試分(fē←n)析平台主任、學術(shù)委員(yuán)會(huì)副主任，創辦并兼任明遠科技（蘇州）有限公司總經理(lǐ)、法人(rén)代表。1992年(ni♦án)畢業(yè)于西(xī)安交通(tōng)大(dà)學材料科(kē)學與工(gōng)程學院金(jīn)屬材料專業(yè)，後獲得(de)該專業(yè)碩士學位。↕1998年(nián)獲得(de)中科(kē)院上(shàng)海(hǎi)光(guāng)學精密機(jī)械研究所博士學位後，留所從(cóng)事(shì)✔晶體(tǐ)生(shēng)長(cháng)、氮化(huà)物(wù)半導體(tǐ)材料外(wài)延生(shēng)長(•cháng)的(de)研究工(gōng)作(zuò)。

1999年(nián)赴日(rì)本千葉大(dà)學光(guāng)電(diàn)子(zǐ)研究中心進行(↓xíng)博士後研究，并留日(rì)本工(gōng)作(zuò)。 2004年(nián)回國(guó)任教于北(běi)京大(dà)學物(wù)理(lǐ→)學院，2006年(nián)加入蘇州納米技(jì)術(shù)與納米仿生(shēng)研究所。徐科(kē)多(d♥uō)年(nián)從(cóng)事(shì)氮化(huà)物(wù)材料的(de)應用(yòng)研究與産業(yè≤)化(huà)工(gōng)作(zuò)，現(xiàn)承擔納米結構高(gāo)效太陽能(néng)電(diàn)池973項目部分(fēn)任務、非極性GaN襯底國(guó)家(jiā)自←(zì)然科(kē)學基金(jīn)項目、蘇州市(shì)納米專項、江蘇省重大(dà)科(kē)技(jì)成果産業(yè)©化(huà)項目、中科(kē)院方向性項目等；發表學術(shù)論文(wén)60餘篇，被引用(yòng)350餘次，單篇最高(gāo)引用(yòng)↔130次；在E-MRS、ISE3、MRS、ICNS等重要(yào)國(guó)際會(huì)議(yì)上(shàng)做(zuò)特邀報(bào)告10餘次；申¶請(qǐng)專利20餘項，其中國(guó)際專利2項。