發展曆史
Development History
在江蘇省重大(dà)成果轉化(huà)項目（2007年(nián)）、國(guó)家(jiā)自(zì)然科(kē)學基金(jīn)委項目、科(kē)技(jì)部863項∑目和(hé)重點研發計(jì)劃、發改委産業(yè)化(huà)示範項目以及國(guó)家(jiā)和(hé)省市(shì)各級領軍人(rén)才項目等的(de)支持下(xià)，依>托中科(kē)院蘇州納米所研究平台，蘇州納維在氮化(huà)镓單晶材料生(shēng)長(cháng)與産業(yè)化(huà)技(jì)術(shù)上(shàng)持→續深耕，取得(de)系列創新突破，目前可(kě)以批量提供2~4英寸氮化(huà)镓單晶标準襯底，并可(kě)以為(wèi)客戶定制(zhì)特定尺寸和(hé)規格的(de)單晶↓襯底。
緻力于氮化(huà)镓單晶材料的(de)生(shēng)長(cháng)技(jì)術(shù)和(hé)裝備研發，銳意進取，發展新方法、突破新技(jì)術(shù)，做(zuò)全球氮化(h₹uà)镓單晶技(jì)術(shù)的(de)引領者，做(zuò)氮化(huà)镓單晶襯底的(de)最佳供應商，成長(cháng)為(wèi)對(duì)全球新一Ω(yī)代半導體(tǐ)技(jì)術(shù)有(yǒu)卓越貢獻的(de)中國(guó)企業(yè)。
5×5mm²
Ø 2 inch位錯(cuò)密度10⁶cm⁻²。
Ø 2 inch量産中試，位錯(cuò)密度10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch實現(xiàn)量産，Ø 4 inch樣品。 研發水(shuǐ)平位錯(cuò)密度10⁴cm⁻²。
Ø 4 inch量産技(jì)術(shù)，Ø 6inch關鍵技(jì)術(shù)。 研發水(shuǐ)&平位錯(cuò)密度10³cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量産，Ø 4 inch 小(xiǎo)批量供貨，Ø 7 inch 樣品研發。 位錯(cuò)密度：研發水(shuǐ)平10³cm⁻²，量産水(shuǐ)平10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量産，Ø 4 inch 量産能(néng)力，Ø 6 inch 批量供貨，Ø 8 inch 量産技(jì)術(shù) 位錯(cuò)密度：研發水(shu•ǐ)平10²cm⁻²，量産水(shuǐ)平10⁴cm⁻²。
Ø 2~8 inch量産技(jì)術(shù) 全面支撐：可(kě)見(jiàn)光(guāng)激光(g&uāng)器(qì)，先進微(wēi)米LED，寬頻(pín)譜射頻(pín)器(qì)件(jiàn)，高(gāo)效率電(diàn)力電☆(diàn)子(zǐ)，高(gāo)可(kě)靠性功率器(qì)件(jiàn)，極低(dī)位錯(cuò)密度電(dβiàn)學性能(néng)領先。
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