氮化(huà)镓單晶襯底在射頻(pín)電(diàn)子(zǐ)領域的(de)應用(yòng)
- 分(fēn)類：應用(yòng)領域
- 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26 10:35:40
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概要(yào):
詳情
- 基于GaN材料的(de)射頻(pín)器(qì)件(jiàn)，具有(yǒu)高(gāo)功率、高(gāo)效率、耐高(gāo)溫、抗輻照(zhào)等優勢，是(shì)β迄今最理(lǐ)想的(de)半導體(tǐ)射頻(pín)電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)。
- 基于氮化(huà)镓單晶襯底的(de)HEMT器(qì)件(jiàn)，為(wèi)同時(shí)實現(xiàn)高(gāo)頻(pín)率、寬頻(pín)譜、高(gāo)效率、高(gāo)功率♣密度、高(gāo)可(kě)靠性提供解決方案。
- 半絕緣氮化(huà)镓，Fe摻雜(zá)，C摻雜(zá)
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