Company Introduction

蘇州納維創辦以來(lái)，在江蘇省重大(dà)成果轉化(huà)項目、蘇州市(shì)各級≠人(rén)才項目支持下(xià)，經過10年(nián)攻關完成了(le)從(cóng)材料生(shēng)長(cháng)設₹備的(de)自(zì)主研發到(dào)GaN單晶襯底生(shēng)長(cháng)制(zhì)備的(de)完整工(gōng)藝開(kāi)發，2英寸GaN單晶襯底的(de)位¥錯(cuò)密度降低(dī)到(dào)10⁴cm²，達到(dào)世界先進水(shuǐ)平，期間(jiān)相(xiàng)繼得(de)到(dào)科(kē)技(jì)部863項目和(h±é)國(guó)家(jiā)發改委産業(yè)化(huà)示範項目的(de)支持；近(jìn)兩年(nián×)完成了(le)4英寸和(hé)6英寸GaN單晶襯底的(de)關鍵技(jì)術(shù)研發。目前GaN單晶襯底産品已α經提供給500餘家(jiā)客戶使用(yòng)，基本完成了(le)對(duì)研發市(shì)場(chǎng)的(de)占領，正在提升産能(néng)向企業(yè)應用(yòng)市♣(shì)場(chǎng)發展，重點突破方向是(shì)藍(lán)綠(lǜ)光(guāng)半導體(tǐ)激光☆(guāng)器(qì)、高(gāo)功率電(diàn)力電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)、高(gāo)可(kě)靠性高(gāo)功率微(wēi)波器(qì)件(jiàn)等重大(dà)領域。申報(bào)相(xiàng)關核心專利近(jìn)百餘項，在各類重要₽(yào)國(guó)際學術(shù)會(huì)議(yì)和(hé)産業(yè)論壇上(shàng)做(zuò)邀α請(qǐng)報(bào)告百餘次，蘇州納維受到(dào)産業(yè)界和(hé)國(guó)際同行(xíng)的(de)廣泛關注。

願景

“團隊具有(yǒu)持續創新能(néng)力，産品具有(yǒu)國(guó)際領先水(shuǐ)平”£

管理(lǐ)團隊

Management Team

徐科(kē)-明遠科技（蘇州）有限公司董事(shì)長(cháng)（創始人(rén)）

徐科(kē)，男(nán)，1970年(nián)3月(yuè)出生(shēng)，中科(kē)院上(shàng)海(hǎi)光(guāng)學精密機(jī)械研究所獲得(de)博士，中國(≠guó)國(guó)籍，明遠科技（蘇州）有限公司董事(shì)長(cháng)、江蘇第三代半導體(tǐ)研究院院長(cháng)徐科(kē)。20✘08年(nián)入選省“高(gāo)層次創新創業(yè)人(rén)才引進計(jì)劃”，2007年(nián)入選姑蘇領軍人(rén)才計(jì)劃。徐科 (kē)博士自(zì)1996年(nián)以來(lái)一(yī)直從(cóng)事(shì)氮化(huà)物(wù)外(wài)延用(yòng)襯底材料的(de)晶體(tǐ)生(shēng)長(cháng)，曾在非極性GaN的(de)λMOCVD生(shēng)長(cháng)方面做(zuò)出開(kāi)創工(gōng)作(zuò)；闡明(míng)了(le)極性對(duì)InN生(shēng)長(ch®áng)的(de)特殊影(yǐng)響，是(shì)國(guó)際上(shàng)最早發現(xiàn)InN窄帶隙的(de)研究者之一(yī)。2004年(nián)歸國(guó)，在蘇←州工(gōng)業(yè)園區(qū)創辦明遠科技（蘇州）有限公司，研發出2inch GaN單晶襯底系列産品，Ga↑N單晶襯底的(de)研制(zhì)成功和(hé)産業(yè)化(huà)對(duì)我國(guó)第三代半導體(tǐ)産業(yè)跨越發展以及國(guó)防領域的(de)核心器(qì)件(jαiàn)研制(zhì)具有(yǒu)重要(yào)的(de)戰略意義。曾主持參加國(guó)家(jiā)重點研究計(j₹ì)劃、國(guó)家(jiā)自(zì)然科(kē)學基金(jīn)重點項目、江蘇省科(kē)技(jì)成果重大(dà)專項項目、蘇州市(shì)姑蘇人(rén±)才、蘇州工(gōng)業(yè)園區(qū)領軍人(rén)才項目等20餘項，在項目執行(xíng)σ期間(jiān)，入選科(kē)技(jì)部中青年(nián)領軍科(kē)技(jì)人(rén)才；關于氮化(huà)镓單晶襯底的(de)研究成果入選基金(jīn‍)委信息學部十二五優秀成果彙編；入選科(kē)技(jì)部重大(dà)研發計(jì)劃戰略性新型電(diàn)子(zǐ)材料專家(jiā)組成員(yuán)并任第三代半導體(tΩǐ)材料專家(jiā)組副組長(cháng)；入選國(guó)家(jiā)重大(dà)新材料與應用(yòng)工(£gōng)程專家(jiā)組并參與編寫第三代半導體(tǐ)材料到(dào)2030年(nián)的(de)發展規劃等。

王建峰-明遠科技（蘇州）有限公司總經理(lǐ)

1979年(nián)10月(yuè)生(shēng)，于2001年(nián)、2006年(nián)先後獲得(de)武漢大(dà)學學士和(hé)博士學位（與中科(k₩ē)院半導體(tǐ)所聯合培養），此後一(yī)直從(cóng)事(shì)GaN單晶襯底的(de)制(zhì)備及♣産業(yè)化(huà)開(kāi)發。王建峰博士針對(duì)GaN生(shēng)長(cháng)裝備，創新的(de)引入了(le)在位光(guāng)學監控系統，實σ現(xiàn)了(le)生(shēng)長(cháng)速度和(hé)應力的(de)實時(shí)監控，極大(dà)的(de)α推進了(le)GaN材料研發；近(jìn)5年(nián)以來(lái)，深入研究了(le)GaN的(de)HVPE生(shēng)長(cháng)機(jī)理(lǐ)和(hé)缺陷演化↓(huà)機(jī)制(zhì)，采用(yòng)周期掩膜、GaN納米柱陣列等中間(jiān)層方法，獲得(de)了(le)無裂紋、高(gāo)質量GaN材料，性能(néng)達到(dào)÷目前同類方法公開(kāi)報(bào)道(dào)的(de)最好(hǎo)值(位錯(cuò)密度&l‌t;10⁵cm²，室溫電(diàn)子(zǐ)遷移率1100cm²/V·s)；利用(yòng)摻雜(zá)技(jì)術(shù)®，實現(xiàn)了(le)2英寸非摻、N型摻雜(zá)和(hé)半絕緣補償摻雜(zá)GaN單晶襯底的(de)研制(zhì)。近(jìn)3年(≈nián)以來(lái)，初步實現(xiàn)了(le)4英寸GaN單晶襯底的(de)制(zhì)備。作(zu↔ò)為(wèi)項目負責人(rén)和(hé)核心人(rén)員(yuán)參加科(kē)技(jì)部863項目、國(guó)際合作(zuò)項π目、自(zì)然科(kē)學基金(jīn)項目、中科(kē)院 STS 項目等10餘項，申報(bào)相(xiàng)關核心專利20餘項，在≠ICNS、APWS等重要(yào)國(guó)際會(huì)議(yì)上(shàng)做(zuò)特邀報(bào)告5次。項目申請(qǐng)人↑(rén)曾榮獲中國(guó)産學研促進性創新成果獎，中國(guó)科(kē)學院盧嘉錫青年(nián)人(rén)才獎，$蘇州市(shì)勞動模範獎勵。