射頻(pín)電(diàn)子(zǐ)領域
Radio Frequency Electronics
基于GaN材料的(de)射頻(pín)器(qì)件(jiàn)，具有(yǒu)高(gāo)功率、高(gāo)效率、耐高(gāo)溫、抗輻照(zhào)等優勢，是(shì)迄今最理(lǐ)想的(de)半導體(tǐ)射頻(pín)電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)。
電(diàn)力電(diàn)子(zǐ)領域
Power Electronics
電(diàn)力電(diàn)子(zǐ)的(de)主流發展趨勢，更高(gāo)的(de)電(diàn)壓、更大(dà)的(de)電(diàn)流、更高(gāo)的(de)效率、更小(xiǎφo)的(de)體(tǐ)積、更高(gāo)的(de)可(kě)靠性，從(cóng)單一(yī)的(de)功率變換到(dào)“能(néng)源路(lù)由器(qì)發展”，需要(yàoΩ)以更快(kuài)的(de)速度、以更高(gāo)的(de)效率來(lái)處理(lǐ)更大(dà)功率的(de)能(néng)源。
新型顯示領域
New Display Field
氮化(huà)镓單晶：更小(xiǎo)的(de)尺寸、更高(gāo)高(gāo)分(fēn)辨率，芯片波長(cháng)一(yī)緻性，更小(xiǎo)的(de)漏電(dσiàn)流，在小(xiǎo)電(diàn)流驅動下(xià)更高(gāo)的(de)效率，同質外(wài)延MicroLED技(jì)術(shù)通(tōng)向“摩爾定律”之路(lù)。
全彩激光(guāng)顯示
Full Color Laser Display
發光(guāng)二極管（LED）具有(yǒu)照(zhào)明(míng)效率高(gāo)、色彩豐富、節能(néng)、使用(yòng)壽命長(cháng)、響應速度快(kuài)、體(tǐ)α積小(xiǎo)、光(guāng)源堅固等一(yī)系列優點。
高(gāo)功率射頻(pín)器(qì)件(jiàn)
High Power RF Devices
在半導體(tǐ)激光(guāng)器(qì)家(jiā)族中，中紅(hóng)外(wài)或近(jìn)紅(hóng)外(wài)激光(guāng)器(qì)(830nm/1064nm)都"(dōu)是(shì)重要(yào)的(de)組成部分(fēn)，但(dàn)是(shì)缺一(yī)名重要(yào)成員(yuán)——短(du¥ǎn)波（可(kě)見(jiàn)光(guāng)）激光(guāng)器(qì)，即藍(lán)、綠(lǜ)光(guā↔ng)波段的(de)激光(guāng)器(qì)。
高(gāo)功率電(diàn)子(zǐ)電(diàn)力器(qì)件(jiàn)
High Power Electronic Power Devices
MESFET、HFET、MODFET、HBT；射頻(pín)功率晶體(tǐ)管；高(gāo)頻(pín)MMIC；高(gā×o)電(diàn)壓電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)；高(gāo)溫電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jià≈n)；混合信号GaN/Si集成。
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