2018
- 分(fēn)類:發展曆史
- 作(zuò)者:
- 來(lái)源:
- 發布時(shí)間(jiān):2022-09-26
- 訪問(wèn)量:0
【概要(yào)描述】Ø 4 inch量産技(jì)術(shù),Ø 6inch關鍵技(jì)術(shù)。
研發水(shuǐ)平位錯(cuò)密度10³cm⁻²。
2018
【概要(yào)描述】Ø 4 inch量産技(jì)術(shù),Ø 6inch關鍵技(jì)術(shù)。
研發水(shuǐ)平位錯(cuò)密度10³cm⁻²。
- 分(fēn)類:發展曆史
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- 發布時(shí)間(jiān):2022-09-26
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詳情
2英寸GaN單晶襯底的(de)位錯(cuò)密度獲得(de)國(guó)際認可(kě);完成了(le)4英寸GaN單晶襯底;開(kāi)展了(le)6英寸GaN單晶>襯底的(de)研發
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