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典型GaN射頻(pín)器(qì)件(jiàn)的(de)工(gōng)藝流程

分(fēn)類：行(xíng)業(yè)動态
作(zuò)者：
來(lái)源：
發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
訪問(wèn)量：0

【概要(yào)描述】典型的(de)GaN射頻(pín)器(qì)件(jiàn)的(de)加工(gōng)工(gōng)藝主要(yào)包括如(≠rú)下(xià)環節：外(wài)延生(shēng)長(cháng)-器(qì)件(jiàn)隔離(lí)-歐姆接觸（制(zhì)作(zuò)↓源極、漏極）-氮化(huà)物(wù)鈍化(huà)-栅極制(zhì)作(zuò)-場(chǎng)闆制(zhì)作(zuò)-襯底減薄-襯底通(tōng)孔等環節。

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典型GaN射頻(pín)器(qì)件(jiàn)的(de)工(gōng)藝流程

【概要(yào)描述】典型的(de)GaN射頻(pín)器(qì)件(jiàn)的(de)加工(gōng)工(gōng)藝主要(yào)包括如(rú)下(xià)環節：外(wài)延↓生(shēng)長(cháng)-器(qì)件(jiàn)隔離(lí)-歐姆接觸（制(zhì)作(z‌uò)源極、漏極）-氮化(huà)物(wù)鈍化(huà)-栅極制(zhì)作(zuò)-場(chǎng)闆制(zhì)作(zuò)-襯底減薄-襯底通(tōng)孔等環節。

分(fēn)類：行(xíng)業(yè)動态
作(zuò)者：
來(lái)源：
發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
訪問(wèn)量：0

詳情

典型的(de)GaN射頻(pín)器(qì)件(jiàn)的(de)加工(gōng)工(gōng)藝主要(yào)包括如(rú)下(xià)環節：外(wài←)延生(shēng)長(cháng)-器(qì)件(jiàn)隔離(lí)-歐姆接觸（制(zhì)作(zuò)源極、漏極）-氮化(huà)物(wù)鈍化(huà)-栅極制(zhì)作(zuò)-場(chǎng)闆制(zhì)作(zuò)-襯底減薄-襯底通(tōng)孔等環節。

外(wài)延生(shēng)長(cháng)

采用(yòng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)化(huà)學氣相(xiàng)沉積（MOCVD）或分(fēn)子(zǐ)束外(wài)延（MBE）方式在SiC或Si襯底上(shàng)外(wài)延GaN材料。

器(qì)件(jiàn)隔離(lí)

采用(yòng)離(lí)子(zǐ)注入或者制(zhì)作(zuò)台階（去(qù)除掉溝道(dào)層）的(de)方式來(lá&i)實現(xiàn)器(qì)件(jiàn)隔離(lí)。射頻(pín)器(qì)件(jiàn)之間(jiān)的(dεe)隔離(lí)是(shì)制(zhì)作(zuò)射頻(pín)電(diàn)路(lù)的(de)基本要(yào)求。

歐姆接觸

形成歐姆接觸是(shì)指制(zhì)作(zuò)源極和(hé)漏極的(de)電(diàn)極。對(duì)GaN材料而言，制(zhì)造歐姆接觸需要(yào)在很(hěn)高(gāo)的(de)溫度下(xià)完成。

氮化(huà)物(wù)鈍化(huà)

在源極和(hé)漏極制(zhì)作(zuò)完成後，GaN半導體(tǐ)材料需要(yào)經過鈍化(huà)過程來(lái)消除懸挂鍵等界面态。GaN的(de)鈍化(huà)過程通(tōng)常采用(yòng)SiN（氮化(huà)矽）來(lái)實現(xiàn)。

栅極制(zhì)作(zuò)

在SiN鈍化(huà)層上(shàng)開(kāi)口，然後沉積栅極金(jīn)屬。至此，基本的(de)場(chǎ♥ng)效應晶體(tǐ)管的(de)結構就(jiù)成型了(le)。

場(chǎng)闆制(zhì)作(zuò)

栅極制(zhì)作(zuò)完成後，繼續沉積額外(wài)的(de)幾層金(jīn)屬和(hé)氮化(huà)物(wù)，來(lái)制(zhì)作(zuò)場(chǎng)闆、互連和(hé)電(diàn)容，此外(wài)，也(yě)可(kě)以保護器(qì)件(jiàn)免受外(wài)部環境影(yǐng)響。

襯底減薄

襯底厚度減薄至100μm左右，然後對(duì)減薄後的(de)襯底背部進行(xíng)金(jīn)屬化(huà)。

襯底通(tōng)孔

通(tōng)孔是(shì)指在襯底上(shàng)表面和(hé)下(xià)表面之間(jiān)刻蝕出的(de)短(duǎn)通(tōng)道(d↓ào)，用(yòng)于降低(dī)器(qì)件(jiàn)和(hé)接地(dì)(底部金(jīn)屬化(huà)層)之間(jiān)的(de)電(diàn)感。

出處：www.qorvo.com

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上(shàng)一(yī)個(gè): 無

下(xià)一(yī)個(gè): 氮化(huà)镓X波段氮化(huà)镓放(fàng)大(dà)器(qì)和(hé)阻塞轉換器(qì)的(de)新進展

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