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發展曆史
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2014

2014

  • 分(fēn)類：發展曆史
  • 作(zuò)者：
  • 來(lái)源：
  • 發布時(shí)間(jiān)：2022-09-26
  • 訪問(wèn)量：0

【概要(yào)描述】Ø 2 inch量産中試，位錯(cuò)密度10⁵cm⁻²。

2014

【概要(yào)描述】Ø 2 inch量産中試，位錯(cuò)密度10⁵cm⁻²。

  • 分(fēn)類：發展曆史
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開(kāi)展了(le)4英寸GaN單晶襯底的(de)研發；獲得(de)國(guó)家(jiā)科(kē)技(j‍ì)部863項目“大(dà)尺寸GaN單晶襯底制(zhì)備及同質外(wài)延”項目的(de)支持

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上(shàng)一(yī)個(gè): 2012
下(xià)一(yī)個(gè): 2016
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