2英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（非摻）

規格：GaN-T-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 電(diàn)阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm

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2英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（矽摻）

2英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（非摻）

分(fēn)類:

産品規格書(shū)

文(wén)件(jiàn)大(dà)小(xiǎo):

140KB

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2022-10-18 09:13:00

2英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（非摻）

分(fēn)類:

産品規格書(shū)

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相(xiàng)關産品

4英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（非摻）
規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
4英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（鐵(tiě)摻）
規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電(diàn)阻率(300k)：>1×•10⁹Ω*cm
2英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（非摻）
規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電(₽diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
2英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（矽摻）
規格：GaN-FS-C-N-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.05 Ω*cm
2英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（鐵(tiě)摻）
規格：GaN-FS-C-SI-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電(diàn)阻率(300k)：> 1 x 10⁶ Ω*cm
∞ → ♣

10*10.5mm²自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（非摻）
規格：GaN-FS-C-U-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
© π ¥

10*10.5mm²自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（矽摻）
規格：GaN-FS-C-N-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
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10*10.5mm²自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（鐵(tiě)摻）
規格：GaN-FS-C-SI-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：> 10⁶ Ω·cm
5*10mm²非極性氮化(huà)镓自(zì)支撐襯底A-plane（UID/N/SI)
規格：GaN-FS-A-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²非極性氮化(huà)镓自(zì)支撐襯底M-plane（UID/N/SI)
規格：GaN-FS-M-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²半極性氮化(huà)镓自(zì)支撐襯底Semi-polar-(10-11)plane（UID/N/SI)
規格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²半極性氮化(huà)镓自(zì)支撐襯底Semi-polar-(11-22)plane（UID/N/SI)
規格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²半極性氮化(huà)镓自(zì)支撐襯底Semi-polar-(20-2-1)plane（UID/N/SI)
規格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 電(diàn)阻率(300k)：<0.5Ω·cm
6英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（非摻）
規格：GaN-T-C-U-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 4% 電(diàn)阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm
6英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（矽摻）
規格：GaN-T-C-N-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 4% 電(diàn)阻率<(300k)：< 0.05 Ω·cm
6英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（鎂摻）
規格：GaN-T-C-P-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 電(diàn)阻率(300k)：< 10Ω·cm
4英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（非摻）
規格：GaN-T-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 電(diàn)阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm
4英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（矽摻）
規格：GaN-T-C-N-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3™% 電(diàn)阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
4英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（鎂摻）
規格：GaN-T-C-P-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 電(diàn)阻率(300k)：< 10 Ω·cm
2英寸氮化(huà)镓厚膜晶片（非摻）
規格：GaN-T-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 電(diàn)阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm