大(dà)功率器(qì)件(jiàn)專用(yòng)氮化(huà)镓單晶襯底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

産品中心

Products Center

4英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

更多(duō)

4英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（鐵(tiě)摻）

規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電(di≠àn)阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm

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2英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電(diàn)阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（鐵(tiě)摻）

規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電(diàn)阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm

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2英寸自(zì)支撐氮化(huà)镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電(diàn)阻率(300k)：< 0±.5 Ω*cm

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專業(yè)的(de)高(gāo)質量氮化(huà)镓襯底供應商

明遠科技（蘇州）有限公司緻力于第三代半導體(tǐ)核心關鍵材料——氮化(huà)镓（GaN）單晶襯底的(de)研發與産業(yè)化(huà)，經過15年(nián)努力，實現(xiàn")了(le)2英寸氮化(huà)镓單晶襯底的(de)生(shēng)産、完成了(le)4英寸産品的(de)工(gōng)程化(huà)技(jì)術(shù)開(kāi)發、突破了(le)6₽英寸的(de)關鍵技(jì)術(shù)，現(xiàn)在是(shì)國(guó)內(nèi)和(hé)國(guó)際少(shǎo)數(shù)幾家(jiā)之一(yī)能(néng)夠批量提≠供2英寸氮化(huà)镓單晶産品的(de)單位；氮化(huà)镓産品性能(néng)綜合指标國(guó)際領先，未來(×lái)3年(nián)重點實現(xiàn)将技(jì)術(shù)先發優勢轉化(huà)為(wèi↕)在全球的(de)市(shì)場(chǎng)優勢。

明遠科技（蘇州）有限公司成立于2007年(nián)，專注于高(gāo)質量氮化(huà)镓半導體(tǐ)單晶材料的(de$)生(shēng)長(cháng)。氮化(huà)镓是(shì)第三代半導體(tǐ)的(de)代表，它是(shì)節¥能(néng)照(zhào)明(míng)、激光(guāng)投影(yǐng)顯示、智能(néng)電(diàn)網、新€能(néng)源汽車(chē)、5G通(tōng)信等産業(yè)的(de)核心基礎材料，預計(jì)到(dào)未來(lái)将形成萬億美(měi)元以上(shàng)的(de)市(shì)場(→chǎng)規模。

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專業(yè)的(de)高(gāo)質量氮化(huà)镓襯底供應商

明遠科技（蘇州）有限公司緻力于第三代半導體(tǐ)核心關鍵材料——氮化(huà)镓（GaN）單晶襯底的(de)研發與産業(yè)化(huà)，經過1♠5年(nián)努力，實現(xiàn)了(le)2英寸氮化(huà)镓單晶襯底的(de)生(shēng)産、完成了(le)4英寸産品的(de★)工(gōng)程化(huà)技(jì)術(shù)開(kāi)發、突破了(le)6英寸的(de)關鍵技(jì)術(shù)，現(xiàn)在是(shì)國(guó)內(nèi)和(hé>)國(guó)際少(shǎo)數(shù)幾家(jiā)之一(yī)能(néng)夠批量提供2英寸氮化(huà)镓單晶産品的(de)單位；氮化(huà)镓産品性₽能(néng)綜合指标國(guó)際領先，未來(lái)3年(nián)重點實現(xiàn)将技(jì)術(shù)&先發優勢轉化(huà)為(wèi)在全球的(de)市(shì)場(chǎng)優勢。

明遠科技（蘇州）有限公司成立于2007年(nián)，專注于高(gāo)質量氮化(huà)镓半導體(tǐ)單晶材料的(de)生(shēng)長(±cháng)。氮化(huà)镓是(shì)第三代半導體(tǐ)的(de)代表，它是(shì)節能(néng)照(zhào)明(míng)、激光(g uāng)投影(yǐng)顯示、智能(néng)電(diàn)網、新能(néng)源汽車(chē)、5G通(tōng)信等産業(yè)的(de)核心基礎材料，預¶計(jì)到(dào)2025年(nián)将形成萬億美(měi)元以上(shàng)的(de)市(shì)場(chǎng)規模。

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2007年(nián)
公司成立

500+
服務客戶

60+
核心專利

50+
邀請(qǐng)報(bào)告

10億+
總投資

産品應用(yòng)

Applications ——

氮化(huà)镓是(shì)第三代半導體(tǐ)的(de)代表，它是(shì)節能(néng)照(zhào)明(míng)、激光(guāng)投影(yǐng)顯示、智能(néng)電(diàn)網'、新能(néng)源汽車(chē)、5G通(tōng)信等産業(yè)的(de)核心基礎材料，預計(jì)δ到(dào)未來(lái)将形成萬億美(měi)元以上(shàng)的(de)市(shì)場(chǎng)規模...

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