蘇州納維董事(shì)長(cháng)、蘇州納米所研究員(yuán)徐科(kē)博士榮獲2013年(nián)度國(guó)家(jiā•)傑出青年(nián)科(kē)學基金(jīn)項目資助，這(zhè)是(shì)蘇州納米所培育出的(de)首位國(guó)₹家(jiā)傑出青年(nián)科(kē)學基金(jīn)獲得(de)者。 

國(guó)家(jiā)傑出青年(nián)科(kē)學基金(jīn)于1994年(nián)3月(yuè)14日(rì)由國(guó)務院批準設立，由​國(guó)家(jiā)自(zì)然科(kē)學基金(jīn)委員(yuán)會(huì)負責管理(lǐ)，旨在‌支持45歲以下(xià)的(de)優秀青年(nián)學者在中國(guó)內(nèi)地(dì)從(cóng)事(shì)自(zì)然科(kē)學基礎研究工(gō✘ng)作(zuò)，旨在促進青年(nián)科(kē)學技(jì)術(shù)人(rén)才成長(cháng)，鼓勵海(hǎi)外(wài)學者回國(guó)工(gōng)作(z✘uò)，培養造就(jiù)一(yī)批進入世界科(kē)技(jì)前沿的(de)優秀學術(shù)帶頭人(rén)。 
　　徐科(kē)博士長(cháng)期以來(lái)一(yī)直圍繞氮化(huà)镓材料和(hé)器(qì)件(jiàn)開(kāi)展工(gōng)作(zuò)，在氮化(huà)物(wù)材料的₩(de)MOCVD生(shēng)長(cháng)、MBE生(shēng)長(cháng)、HVPE生(shēng)長(cháng)方面均有(yǒu)系統深入的(de)研究，特别是(s<hì)在非極性面GaN生(shēng)長(cháng)、晶體(tǐ)極性對(duì)氮化(huà)物(w₽ù)生(shēng)長(cháng)的(de)影(yǐng)響、GaN單晶襯底材料的(de)HVPE生(shēng)長(cháng)方面取得(de)創新成果。近(±jìn)十年(nián)來(lái)，徐科(kē)博士和(hé)他(tā)的(de)團隊從(cóng)HVPE生(shēng)長(cháng)設備、高(gāo)空(∑kōng)間(jiān)分(fēn)辨綜合光(guāng)電(diàn)測試系統研制(zhì)開(kāi)始，在深入研究GaN的(de)HVPE生(shēng)長(cháng)γ物(wù)理(lǐ)基礎上(shàng)，研制(zhì)成功高(gāo)質量的(de)2英寸GaN襯底，位錯(cuò)密度低(dī)達104cm-2數(↕shù)量級；通(tōng)過摻雜(zá)補償，研制(zhì)成功2英寸半絕緣氮化(huà)镓，填補了(le)國(guó)內(nèi)空(kōng)白(bái)ε。蘇州納米所在布局基礎前沿研究的(de)同時(shí)非常注重推進研究成果的(de)轉化(huà)和(hé)産業(★yè)化(huà)，在科(kē)技(jì)領軍人(rén)才項目和(hé)風(fēng)險投資資金(jīn)的(deα)支持下(xià)，該項成果的(de)産業(yè)化(huà)公司蘇州納維已經實現(xiàn)了(le)電(diàn)學性能(néng)可(kě)控、低★(dī)缺陷密度的(de)大(dà)于2英寸自(zì)支撐GaN襯底批量制(zhì)備，高(gāo)質量氮化(huà)镓單晶襯底批量生(shēng)産¶對(duì)我國(guó)開(kāi)展基于氮化(huà)镓的(de)高(gāo)端光(guāng)電(diàn)器(qì)件(jiàn)和(hé)微(wēi)波功率器(qì)£件(jiàn)研發具有(yǒu)重要(yào)戰略意義。